ચેન્નાઈ સ્થિત ભારતીય પ્રોદ્યોગિકી સંસ્થાનના વિજ્ઞાનીઓએ ટેકનોલોજીના ક્ષેત્રમાં એક અદ્ભુત અને અભૂતપૂર્વ સફળતા મેળવી છે. આ સંશોધન અંતર્ગત, સંશોધકોએ વીજ પ્રવાહનો ઉપયોગ કરીને એક જ વળાંકવાળા અણુને ભ્રમણ કરાવવામાં સફળતા મેળવી છે. આ અણુના ઘૂમવાથી તેની અંદરથી વધુ પ્રમાણમાં વીજ પ્રવાહ પસાર થઈ શકે છે, જે ભવિષ્યમાં અતિ સૂક્ષ્મ ઇલેક્ટ્રોનિક સ્વિચ અને ઉપકરણોની રચના માટે અત્યંત ઉપયોગી સાબિત થઈ શકે છે. આ વૈશ્વિક અધ્ધયનમાં ભારતીય પ્રોદ્યોગિકી સંસ્થાનના ભૌતિકશાસ્ત્ર વિભાગના સહાયક પ્રાધ્યાપક અનિલ કુમાર સિંહ પણ સક્રિયપણે જોડાયા હતા, જેમણે આ સંશોધનની અગત્યની વિગતો ઉજાગર કરી હતી.
આ પ્રયોગ દરમિયાન વિજ્ઞાનીઓએ હેલિકીન નામના સર્પિલ આકારના એક અણુને સોનાના બે પાતળા ઇલેક્ટ્રોડ્સની વચ્ચે ગોઠવ્યો હતો. જ્યારે આ વ્યવસ્થા પર વીજ દબાણ લાગુ કરવામાં આવ્યું, ત્યારે વિદ્યુત પ્રવાહના કારણે અણુ ચોક્કસ ક્રમમાં ગતિ કરવા લાગ્યો. જેમ જેમ આ અણુ ભ્રમણ કરતો ગયો, તેમ તેમ ઇલેક્ટ્રોનને પસાર થવા માટે વધુ સરળ માર્ગ મળતો ગયો. સંશોધકોએ એ પણ નોંધ્યું કે વીજ દબાણની દિશા બદલવાથી અણુના ભ્રમણનો ક્રમ પણ બદલાઈ જાય છે. એક નિશ્ચિત મર્યાદા કરતા વધુ વીજ દબાણ આપવા પર અણુ સતત ગોળ ફરવા લાગે છે, જેના કારણે ઇલેક્ટ્રોનનો પ્રવાહ સામાન્ય કરતા સો ગણો વધી જાય છે.
પ્રાચીન સમયના આર્કીમિડીઝના પાણી ઉપર ચઢાવવાના સ્ક્રૂના સિદ્ધાંત પર આધારિત આ સંશોધન વીજ પ્રવાહ અને અણુઓની ગતિ વચ્ચેના ગાઢ સંબંધને સ્પષ્ટ કરે છે. જોકે, સંશોધકોએ સ્પષ્ટતા કરી છે કે આ એક પ્રાયોગિક સફળતા છે અને હજુ તે રોજિંદા ઉપયોગ માટે બજારમાં ઉપલબ્ધ ટેકનોલોજી બની નથી. તેમ છતાં, આ પાયાકીય સંશોધન ભવિષ્યમાં અણુ સ્તરના ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો અને સ્વિચ બનાવવાની દિશામાં માર્ગદર્શક સાબિત થશે, જે ટેકનોલોજી જગતમાં એક ક્રાંતિકારી બદલાવ લાવી શકે છે.
